Samsung tiết lộ RAM DDR5-7200 512 GB

Theo Tomshardware, Samsung đã tạo ra mô-đun bộ nhớ DDR5-7200 với 8 khuôn DDR5 xếp chồng lên nhau được kết nối với nhau bằng công nghệ TSV (through silicon via). Đây là một cải tiến lớn so với DDR4 - vốn trước đó chỉ giới hạn ở 4 khuôn DDR4. Mặc dù có thiết kế dày đặc hơn, ngăn xếp DDR5 chỉ có kích thước 1,0 mm so với 1,2 mm của DDR4.

Bằng cách sử dụng các kỹ thuật xử lý wafer mỏng, Samsung có thể giảm khoảng cách giữa các khuôn đến 40%, cho phép giảm chiều cao trên các ngăn xếp. Cũng theo Samsung, công ty đã nâng cao hiệu quả của bus DRAM lên tới 10%, trong khi độ ổn định của tín hiệu cũng cải thiện nhờ bộ cân bằng DFE mới.

Mô-đun bộ nhớ DDR5-7200 hoạt động ở mức 1,1V, chỉ bằng 0,92 lần điện áp cho DDR4. Hiệu suất năng lượng được cải thiện có thể nhờ vào IC quản lý nguồn hiệu quả cao (PMIC), bộ điều chỉnh điện áp và quy trình cổng High-K Metal. Samsung tuyên bố PMIC của họ không chỉ góp phần làm giảm điện áp hoạt động mà còn giảm tiếng ồn trong quá trình này. Như mong đợi với DDR5, mô-đun bộ nhớ của Samsung đi kèm với mã sửa lỗi ngay lập tức (ODECC) để đảm bảo xử lý dữ liệu an toàn và đáng tin cậy hơn.

Samsung cho biết mục đích mô-đun bộ nhớ DDR5 512 GB đó là thị trường máy chủ và trung tâm dữ liệu. Trong khi người tiêu dùng chỉ đạt đến mức tối đa 64 GB. Tuy nhiên điều này không làm mất đi sự phấn khích vì các nền tảng tiếp theo của Intel và AMD sẽ hỗ trợ một lượng bộ nhớ dồi dào. Công ty cũng ra đời mô-đun bộ nhớ DDR4 32 GB, cho phép người dùng thông thường có thể nhận lên đến 128 GB đối với bo mạch chủ hỗ trợ 4 khe cắm DDR4. Trong trường hợp với mô-đun bộ nhớ DDR5 64 GB, con số này sẽ lên đến 256 GB - điều mà trước đây không có sẵn bên ngoài nền tảng máy chủ.

Samsung dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt mô-đun bộ nhớ DDR4-7200 512 GB vào cuối năm 2021. Công ty tin rằng việc chuyển đổi DDR5 sang thị trường phổ thông sẽ không xảy ra cho đến năm 2023 hoặc 2024. Tuy nhiên, chip lai Alder Lake thế hệ thứ 12 của Intel sẽ bắt đầu hỗ trợ DDR5 khi nó ra mắt vào mùa thu năm nay.