Samsung bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM 14 nm với công nghệ EUV

Logo của Hãng Samsung Electronics trên một tòa nhà ở Seoul, Hàn Quốc. Ảnh: AFP/TTXVN

Công nghệ EUV thường được gọi Kỹ thuật in khắc cực tím là công nghệ in thạch bản thế hệ tiếp theo sử dụng một loạt các bước sóng cực tím, trải rộng khoảng 2% băng thông FWHM khoảng 13,5 nm, giúp tạo ra những thế hệ chip xây dựng trên quy trình 7nm.

Samsung đã xuất xưởng 1 triệu chip DRAM 10nm (D1x) DDR4 (Double Date Rate 4) được sản xuất với công nghệ này vào tháng 3/2020 lần đầu tiên trong ngành.

“Gã khổng lồ” công nghệ Hàn Quốc cho biết công nghệ EUV giúp giảm các bước lặp lại trong việc khắc nhiều lần và cải thiện độ chính xác của các mẫu chip, theo đó hiệu suất tốt hơn và năng suất cao hơn, cũng như rút ngắn thời gian phát triển.

Samsung hy vọng quy trình mới nhất này sẽ giúp tăng năng suất lên 20% và giảm tiêu thụ điện năng gần 20%. Hãng cũng sẽ bắt đầu sản xuất DDR5. DDR5 là tiêu chuẩn DRAM thế hệ tiếp theo, có tốc độ nhanh và mật độ cao với mức tiêu thụ điện thấp hơn so với mẫu DDR4. DDR5 được tối ưu hóa để sử dụng trong các ứng dụng sử dụng nhiều dữ liệu như dữ liệu lớn (big data), trí tuệ nhân tạo và máy học.

Trong một thông báo, Lee Joo-young, Phó chủ tịch cấp cao kiêm giám đốc phụ trách sản phẩm và công nghệ DRAM tại Samsung Electronics, cho hay Samsung đang thiết lập một cột mốc công nghệ mới với EUV đa lớp, cho phép thu nhỏ cực độ một quy trình gia công bán dẫn để sản xuất chip xử lý 14nm, một kỳ tích không thể xảy ra với quy trình argon florua thông thường. Chỉ số 14nm được hiểu là kích thước của một transistor (bóng bán dẫn) trong con số hàng trăm triệu transistor được tích hợp vào một con chip xử lý.